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INV030FQ012A是一款30V雙向?qū)ㄔ鰪?qiáng)型氮化鎵（GaN）功率晶體管，采用緊湊的FCQFN 6mm x 4mm封裝。該產(chǎn)品基于先進(jìn)的硅基氮化鎵E-Mode HEMT技術(shù)，具有超低的導(dǎo)通電阻，這意味著在電流通過(guò)時(shí)損耗非常小。 INV030FQ012A的雙向?qū)芰κ蛊湓陔娐吩O(shè)計(jì)中具有靈活性。

這款晶體管適用于多種應(yīng)用市場(chǎng)，包括高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)、過(guò)壓保護(hù)（OVP）以及多電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路。由于其小巧的體積和高性能，INV030FQ012A可以替代傳統(tǒng)方案中采用兩顆背靠背連接的NMOS，從而有效降低占板面積，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)板的小型化設(shè)計(jì)。 該產(chǎn)品在過(guò)流保護(hù)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，其超低導(dǎo)通電阻和寬廣的安全工作區(qū)（SOA）特性，使得低損耗和耐短路沖擊的優(yōu)勢(shì)更為顯著。 英諾賽科作為制造商，提供該產(chǎn)品的可靠性測(cè)試報(bào)告，并具備完善的質(zhì)量體系和故障分析能力。